新知一下
海量新知
6 5 2 3 1 9 7

间歇性晶圆湿法处理设备操作视频

闪德资讯 | 专注存储行业的新媒体平台。 2022/09/23 14:15

半导体工艺不断缩小,单晶圆湿法技术成为主流。 在晶圆的前道工艺和后道工艺中,晶圆需要经过无数次的清洗步骤。对于清洗而言,困难在于如何做到提供充足的化学反应或物理力从而去除颗粒污染的同时,尽量少的除去源漏极的硅或隔离槽的SiO2,还不增加表面粗糙度,不损伤已有的门电极。

关键尺寸的缩小使得清洗的窗口变小,满足清洗效率的同时尽量减少表面和结构的损坏变得不再容易。干法清洗技术以及新的漂洗干燥技术正在研发当中,但是距离应用仍较远。目前在前道工艺中最常见的清洗工艺为单晶圆湿法处理技术。

单晶圆湿法清洗的步骤为:去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。 湿法清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗晶圆表面的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,使杂质从被清洗晶圆的表面脱离,然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。

吸附在晶圆表面的杂质可以分为分子型、离子型和原子型三种,分子型杂质较容易清除,离子型和原子型杂质吸附能力较强,所以在清洗时先清除分子型杂质,再清除离子型吸附杂质,然后再清除原子型杂质,用高纯去离子水进行冲洗,最后加热烘干或甩干。 

*免责声明:本 文源于立鼎产业研究网 ,点击原文阅读可以跳转原链接,转载仅是为了交流和学习,内容如有侵权,请联系本部删除!  

更多“工艺”相关内容

更多“工艺”相关内容

新知精选

更多新知精选